單根氧化銅奈米線之定溫時變成長機制與其對光學侷限效應之影響
吳勝允1*
1物理學系, 國立東華大學, 花蓮, Taiwan
* presenting author:Tai-Yue Li, email:tim312508@gmail.com
我們利用CVD (Chemical Vapor Deposition Method),在定溫400度下燒製生成單根氧化銅奈米線,並改變不同的燒製時間 (30分鐘到300分鐘),觀察成長的單根氧化銅奈米線之直徑和長度與變時之關係分析。
由掃描式電子顯微鏡實驗結果得知,其直徑和長度統計呈現自然分佈法(log-normal distribution),我們發現在定溫時變燒製下的氧化銅奈米線長度會隨著燒製時間增加而長度增加,符合短程斷路成長機制(short-circuit diffusion mechanism),而直徑卻不會隨燒製時間增加而上升,會分佈在25~45nm之區間,顯示其非均向晶體侷限效應(Anisotropic crystal confinement effect)。 此結果仍需進一步用共厄拉曼光譜儀來分析其聲子振動膜與其直徑的光學侷限效應,以進一步觀察單根氧化銅奈米線之定溫時變成長機制。


Keywords: 單根氧化銅奈米線, 掃描式電子顯微鏡, 共軛拉曼聚焦光譜儀