拓樸絕緣體Sb2Se2Te的線性磁阻
李威樺1*, 林冠廷1, 林哲民1, 林麟杰1, 黃旭明1, 余世勛2, 周明奇2
1Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan
2Department of Materials and Optoelectronic, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan
* presenting author:Wei-Hua Li, email:iwakuma1357@gmail.com
線性磁阻由於其具備的應用潛力,近幾年受到許多實驗方面和理論方面研究探討其在未來可能的應用,以及產生線性磁阻的物理機制。在10 K的溫度下,我們在拓樸絕緣體Sb2Se2Te中觀察到超過100 %的線性磁阻,且在9 T的高磁場下仍未出現飽和的趨勢。而線性磁阻並不只在低溫環境下才能顯現,在高磁場下,溫度從10 K到250 K中電阻都與磁場為線性關係。我們發現線性磁阻的斜率與臨界磁場會隨著溫度而改變,此外,線性磁阻的斜率與臨界磁場的大小是由載子移動率所控制,與載子濃度無關,這個現象與P-L model所預測的相當吻合,因此我們認為Sb2Se2Te的線性磁阻是由於載子移動率的不均勻性所造成的。


Keywords: 線性磁阻, 拓樸絕緣體