使用原子層沉積技術成長氧化鉿鋯鐵電薄膜之研究
林柏廷1*, 謝宗霖1, 陳敏璋1
1MSE, National Taiwan University, Taipei, Taiwan
* presenting author:Bo-Ting Lin, email:f02527007@ntu.edu.tw
原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)技術能夠精確控制單一原子層厚

度之薄膜,為製備奈米材料最先進的技術之一。由於自我限制(self-limiting)與逐

層(layer-by-layer)生長的特性,使得ALD技術具有許多優點,包括精確的厚度控

制、保形的表面覆蓋能力、大面積的均勻度、良好的介面品質、低缺陷密度等

等。由於材料與製程與積體電路相容,氧化鉿鋯(Hf0.5Zr0.5O2,HZO)為近年來備受

注意的新穎鐵電材料之一。本研究以電漿增強型原子層沉積技術成長高品質的

氧化鉿鋯奈米鐵電薄膜,探討在不同的基材與熱處理條件,對於薄膜的晶體結

構及偶極矩遲滯表現的影響。研究發現氧化鉿鋯薄膜具有有良好的鐵電性質,

在ALD成長完之後不需經退火熱處理即可結晶(為多晶),便具有鐵電性之晶體

結構,亦有鐵電之遲滯現象。


Keywords: 鐵電, ALD, 氧化鉿鋯