氮化鎵奈米線應用於場效應元件
黃庭宇(Ting Yu Huang)1*, 吳慧敏(Hue Min Wu)1
1Department of Optoelectronic physics, Chinese Culture University, Taipei, Taiwan
* presenting author:TING YU HUANG, email:michael84826@yahoo.com.tw
氮化鎵的晶體結構為六方纖鋅礦結構,可產生介於藍光~紫光之間的發光波長(約364.7 nm),氮化鎵具有寬的能隙(約3.4ev)、強的化學鍵、高的熱導率、穩定的化學性質和強的抗輻射能力,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。本研究使用化學氣相沉積法透過V-L-S生長機制生長氮化鎵奈米線,本研究以奈米金作為催化劑,再分析氮化鎵奈米線的結構方面本研究利用掃描式電子顯微鏡目的是觀察一維氮化鎵奈米線的表面形貌及分佈情形利用拉曼光譜儀藉由量測峰值與文獻的比較確定是否為該材料峰值,X-ray繞射儀藉由X光的繞射分析來得知樣品的晶格構造及缺陷。本研究利用一維氮化鎵奈米線的應用製備場效應元件。


Keywords: 氮化鎵, 氮化鎵奈米線, V-L-S生長機制, 六方纖鋅礦結構, 場效應元件