超短且高消光比之極化分離器
賴明聖1*, 黃家健1
1物理系, 國立中興大學, 台中, Taiwan
* presenting author:Lai Ming-Sheng, email:birthdayf811212@gmail.com
利用純介電值材料,我們提出一個操作在光通訊波長(1.55微米)高性能且元件尺寸極小的極化分離器,藉由波導幾何結構深寬比的設計,此元件有效地分離TE與TM模態,此極化分離器,長度可縮短至600奈米(目前最小的結構約2微米左右),TE與TM模態的插入損耗(insertion loss)分別低於0.4B 與0.8dB,且兩模態的消光比(extinction ratio)均可達21dB以上。若是改變基底材料,TE與TM模態的插入損耗更可降低到0.3dB與0.6B以下,而TE模態的消光比可進一步提高至26dB,本研究提出的極化分離器有利於實現高密度的積體光學晶片。


Keywords: 積體光學, 光波導, 極化分離器, 插入損耗, 消光比